壓控晶振就是利用改變控制電壓來實現對輸出頻率的調整，簡稱為VCO。壓控振蕩器內部電路是由變容二極管和石英晶體振蕩器電路組成的。變容二極管是串聯在頻率控制回路當中，通過改變加載在變容二極管上的電壓來調整石英振蕩器的振蕩頻率，實現對輸出頻率的微調。壓控晶振比普通SPXO晶振使用要靈活得多。因為它的輸出頻率可以實現微調，通過調整使輸出頻率達到*理想狀態。由于電壓控制腳是一個輸入腳，很容易帶入其他雜散信號，因此，在使用時要特別注意。壓控晶振廣泛應用在工業和電信領域。
電氣參數
1.頻率 （MHz） 。
2.輸出波形 （CMOS / SINE / TTL / LVDS）
3.輸出電平及負載
4.工作溫度范圍 （℃）
5.頻率穩定度 （ppm）
6.壓控電壓范圍
7.頻率調整度 （+/-ppm）
8.封裝
9.工作電壓 （Vdc）
10.輸出電流 （mA）
11.頻率誤差 （+/-ppm）
12.老化率 （Per Year）
注意：壓控電壓范圍是指加載在壓控晶振壓控VC腳的電壓范圍。壓控電壓一般通過可調電阻從外部穩壓源獲得穩定的調整電壓。有些壓控晶振有自帶壓控參考電壓輸出，這個參考電壓更好。
|
|
壓控晶振 |
DIP 21X13MM |
VCXO |
|
|
|
壓控晶振 |
技術規格 |
|
|
|
|
|
指標參數 |
|
參數值 |
|
|
備注 |
|
|
頻率范圍 |
5-300MHZ |
|
|
可定制 |
|
|
輸出波形 |
Sine |
方波 |
PECL |
|
|
輸出 |
輸出幅度 |
0-7dBm |
標準 |
標準 |
可定制 |
|
特性 |
輸出負載 |
50Ω |
15pF |
/ |
|
|
|
諧波/占空比 |
-30dBc |
45-55% |
45-55% |
|
|
|
雜散抑制 |
-70dBc |
-70dBc |
-70dBc |
|
|
頻率 |
溫度特性 |
±25ppm |
|
|
@25℃ |
|
穩定 |
溫度范圍 |
-40 ﹢85 ℃ |
|
|
|
|
性 |
年老化率 |
±3 - ±5ppm |
|
|
|
|
相位噪聲 |
|
|
|
|
|
|
|
@10Hz |
≤-70dBc/Hz |
|
|
|
|
|
@100Hz |
≤-90dBc/Hz |
|
|
|
|
|
@1KHz |
≤-120dBc/Hz |
|
|
@317MHz |
|
|
@10KHz |
≤-130dBc/Hz |
|
|
|
|
|
@100KHz |
≤-145dBc/Hz |
|
|
|
|
頻率 |
調節方式 |
電壓調節 |
|
|
|
|
調節 |
壓控電壓范圍 |
按照客戶要求 |
|
|
@電壓調節 |
|
|
頻率調節范圍 |
±50-±150ppm |
|
|
可定制 |
|
|
線性度 |
±1%/±3%/±5% |
Max |
|
|
|
|
壓控斜率 |
正斜率 |
|
|
|
|
電源 |
工作電壓 |
3.3V / 5V / 12V |
|
|
|
|
輸入 |
工作電流 |
30mA Max |
|
|
@317MHz |
|
儲存溫度 |
|
-55 ﹢125 ℃ |
|
|
|
