壓控晶振就是利用改變控制電壓來實現對輸出頻率的調整，簡稱為VCO。壓控振蕩器內部電路是由變容二極管和石英晶體振蕩器電路組成的。變容二極管是串聯在頻率控制回路當中，通過改變加載在變容二極管上的電壓來調整石英振蕩器的振蕩頻率，實現對輸出頻率的微調。壓控晶振比普通SPXO晶振使用要靈活得多。因為它的輸出頻率可以實現微調，通過調整使輸出頻率達到*理想狀態。由于電壓控制腳是一個輸入腳，很容易帶入其他雜散信號，因此，在使用時要特別注意。壓控晶振廣泛應用在工業和電信領域。

電氣參數
1.頻率 （MHz）  
2.輸出波形 （CMOS / SINE / TTL / LVDS）  
3.輸出電平及負載
4.工作溫度范圍 （℃）
5. 頻率穩定度 （ppm）
6.壓控電壓范圍 
7. 頻率調整度 （+/-ppm）              
8.封裝
9.工作電壓 （Vdc）
10.輸出電流 （mA）
11.頻率誤差 （+/-ppm）
12.老化率  （Per Year）
注意：壓控電壓范圍是指加載在壓控晶振壓控VC腳的電壓范圍。壓控電壓一般通過可調電阻從外部穩壓源獲得穩定的調整電壓。有些壓控晶振有自帶壓控參考電壓輸出，這個參考電壓更好。
 

	壓控晶振	SMD 14X9MM	VCXO
一、壓控晶振 技術規格
指標參數		參數值			備注
	頻率范圍	5-300MHZ			可定制
	輸出波形	Sine	方波	PECL
輸出	輸出幅度	0-7dBm	標準	標準	可定制
特性	輸出負載	50Ω	15pF	/
	諧波/占空比	-30dBc	45-55%	45-55%
	雜散抑制	-70dBc	-70dBc	-70dBc
	溫度特性	±25ppm			@25℃
	溫度范圍	-40 ﹢85 ℃
	年老化率	±3 - ±5ppm
頻率	相位噪聲
穩定	@10Hz	≤-65dBc/Hz
性	@100Hz	≤-95dBc/Hz
	@1KHz	≤-122dBc/Hz			@122.88MHz
	@10KHz	≤-138dBc/Hz
	@100KHz	≤-142dBc/Hz
頻率	調節方式	電壓調節
調節	壓控電壓范圍	按照客戶要求			@電壓調節
	頻率調節范圍	±50-±150ppm			可定制
	線性度	±1%/±3%/±5%	Max
	壓控斜率	正斜率
電源	工作電壓	3.3V / 5V
輸入	工作電流	50mA Max			@122.88MHz
儲存溫度		-55 ﹢125 ℃
	壓控晶振	DIP 21X13MM	VCXO
一、壓控晶振 技術規格
指標參數		參數值			備注
	頻率范圍	5-300MHZ			可定制
	輸出波形	Sine	TTL	HCMOS
輸出	輸出幅度	0-7dBm	標準	標準	可定制
特性	輸出負載	50Ω	15pF	15pF
	諧波/占空比	-30dBc	45-55%	45-55%
	雜散抑制	-70dBc	-70dBc	-70dBc
	溫度特性	±25ppm			@25℃
	溫度范圍	-40 ﹢85 ℃
	年老化率	±3 - ±5ppm
頻率	相位噪聲
穩定	@10Hz	≤-120dBc/Hz
性	@100Hz	≤-125dBc/Hz
	@1KHz	≤-130dBc/Hz			@32.768MHz
	@10KHz	≤-140dBc/Hz
	@100KHz	≤-145dBc/Hz
頻率	調節方式	電壓調節
調節	壓控電壓范圍	按照客戶要求			@電壓調節
	頻率調節范圍	±50-±150ppm			可定制
	線性度	±1%/±3%/±5%	Max
	壓控斜率	正斜率
電源	工作電壓	3.3V / 5V
輸入	工作電流	15mA Max			@32.768MHz
儲存溫度		-55 ﹢125 ℃